MAX22702EASA+ Maxim Integrated

Минимальная Рабочая Температура: -40 C, Максимальная Рабочая Температура: 125 C, Максимальное Напряжение Питания: 5.5В, Минимальное Напряжение Питания: 3В, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный, Стиль Корпуса Привода: NSOIC, Задержка по Входу: 35нс, Задержка Выхода: 35нс, Пиковый Выходной Ток: 2.85А, Конфигурация Привода: Высокая Сторона и Низкая Сторона, Power Switch Type: GaN HEMT, SiC MOSFET, Pd - рассеивание мощности: 750.89 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.25 Ohms, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 3.6 ns, Время спада: 1.8 ns, Выходной ток: 10 mA, Задержка распространения - макс.: 36 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Количество выходов: 1 Output, Количество драйверов: 1 Driver, Напряжение питания - макс.: 36 V, Напряжение питания - мин.: 3 V, Отключение: Shutdown, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: Isolated Gate Drivers, Рабочий ток источника питания: 6 mA, Размер фабричной упаковки: 100, Серия: MAX22702, Технология: SiC, Тип: High Side, Low Side, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Maxim Integrated, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: SOIC-8, Approval Agency: CSA, cUL, UL, Base Product Number: MAX227 ->, Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/Вµs, Current - Output High, Low: 2.35A, 3.7A, ECCN: EAR99, HTSUS: 8542.39.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Number of Channels: 1, Operating Temperature: -40В°C \~ 125В°C, Package: Tray, Package / Case: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width), Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 36ns, 36ns, Pulse Width Distortion (Max): 2ns, Rise / Fall Time (Typ): 3.6ns, 1.8ns (Max), Supplier Device Package: 8-SOIC, Technology: Capacitive Coupling, Voltage - Isolation: 3000Vrms, Voltage - Output Supply: 6V \~ 36V, Бренд: Maxim Integrated Products

MAX22702EASA+ – артикул товара бренда Maxim Integrated с розничной ценой 659 ₽ за штук