BCP53-16.115 NXP Semiconductors

Структура: pnp, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1, Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 145, Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.65, Корпус: sot223, Hfe при напряжении к-э, В: 2, Hfe при токе коллектора, А: 0.15, Диапазон рабочих температур, оС: -65…150, Статический коэффициент передачи тока hfe мин: 53, Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,5 В, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальная рабочая частота: 145 MHz, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.7мм, Максимальное напряжение коллектор-база: 100 V, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Nexperia, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 80 V, Тип корпуса: SOT-223 (SC-73), Максимальное рассеяние мощности: 1 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 3.7мм, Максимальный пост. ток коллектора: 1 A, Тип транзистора: PNP, Высота: 1.7мм, Число контактов: 4, Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В, Размеры: 1.7 x 6.7 x 3.7мм, Минимальный коэффициент усиления по постоянному току: 100, Pd - рассеивание мощности: 1000 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: 933917350115, Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT, Квалификация: AEC-Q101, Конфигурация: Single, Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A, Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: PNP, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 145 MHz, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-223-3, Base Product Number: BCP53 ->, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Current -