BC857B-7-F Diodes

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,65 В, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальная рабочая частота: 200 МГц, Количество элементов на ИС: 1, Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер: 0,85 В, Длина: 3мм, Максимальное напряжение коллектор-база: -50 V, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: DiodesZetex, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 45 В, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 300 мВт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Максимальный пост. ток коллектора: 100 mA, Тип транзистора: PNP, Высота: 1.1мм, Число контактов: 3, Размеры: 3 x 1.4 x 1.1мм, Максимальное напряжение эмиттер-база: -5 V, Минимальный коэффициент усиления по постоянному току: 220, Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: -0.65 V, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Base Emitter Saturation Voltage: -0.85 V, Maximum Collector Base Voltage: -50 V, Brand: DiodesZetex, Maximum Power Dissipation: 300 mW, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Width: 1.4мм, Maximum DC Collector Current: 100 mA, Transistor Type: PNP, Pin Count: 3, Dimensions: 3 x 1.4 x 1.1mm, Maximum Emitter Base Voltage: -5 V, Minimum DC Current Gain: 220, Pd - рассеивание мощности: 300 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы - BJT, Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 220 at -2 mA, - 5 V, Конфигурация: Single, Максимальный постоянный ток коллектора: 200 mA, Напряжение коллектор-база (VCBO): 50 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 45 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 650 mV, Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V, Подкатегория: Transistors, Полярность транзистора: PNP, Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 200 MHz, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BC857B, Тип продукта: BJTs - Bipolar Transistors, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка / блок: SOT-2