SI2306BDS-T1-E3 Vishay

EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: NRND, HTS: 8541.29.00.95, Product Category: Power MOSFET, Process Technology: TrenchFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 30, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Continuous Drain Current (A): 3.16, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 47@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 3@5V, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 305@15V, Maximum Power Dissipation (mW): 1250, Typical Fall Time (ns): 6, Typical Rise Time (ns): 12, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 14, Typical Turn-On Delay Time (ns): 7, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Packaging: Tape and Reel, Automotive: No, Standard Package Name: SOT, Pin Count: 3, Supplier Package: SOT-23, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 1.02(Max), Package Length: 3.04(Max), Package Width: 1.4(Max), PCB changed: 3, Lead Shape: Gull-wing, Id - непрерывный ток утечки: 3.16 A, Pd - рассеивание мощности: 0.75 W, Qg - заряд затвора: 3 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 47 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 12 ns, Время спада: 6 ns, Высота: 1.45 mm, Длина: 2.9 mm, Другие названия товара №: SI2306BDS-E3, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: TrenchFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 7 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: SI2, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 14 ns, Типичное время задержки при включении: 7 ns,