IRFP250PBF Vishay

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 214, Корпус: to247ac, Крутизна характеристики S,А/В: 17, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 75, Температура, С: -55…+175, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 30 A, Тип корпуса: TO-247AC, Максимальное рассеяние мощности: 190 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.31мм, Высота: 20.7мм, Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 15.87мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 16 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 70 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 85 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 200 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 140 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2800 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 30 A, Pd - рассеивание мощности: 190 W, Qg - заряд затвора: 140 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 85 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 86 ns, Время спада: 62 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 12 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: IRFP, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 16 ns