CY62148ELL-55SXI Cypress

Вид монтажа: SMD/SMT, Время доступа: 55 ns, Диапазон данных: SDR, Категория продукта: Стат. ОЗУ, Количество портов: 1, Коммерческое обозначение: MoBL, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 20 mA, 5.5 V, Напряжение питания - мин.: 4.5 V, Организация: 512 k x 8, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 4 Mbit, Размер фабричной упаковки: 750, Серия: CY62148ELL, Тип: Asynchronous, Тип интерфейса: Parallel, Тип памяти: Volatile, Тип продукта: SRAM, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOIC-32, Чувствительный к влажности: Yes, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): 3A991.b.2.a, Part Status: Active, HTS: 8542.32.00.41, Chip Density (bit): 4M, Number of Words: 512K, Number of Bits/Word (bit): 8, Data Rate Architecture: SDR, Address Bus Width (bit): 19, Number of Ports: 1, Timing Type: Asynchronous, Max. Access Time (ns): 55, Process Technology: 90nm, CMOS, Minimum Operating Supply Voltage (V): 4.5, Typical Operating Supply Voltage (V): 5, Maximum Operating Supply Voltage (V): 5.5, Operating Current (mA): 20, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Supplier Temperature Grade: Industrial, Packaging: Tube, Standard Package Name: SOP, Pin Count: 32, Supplier Package: SOIC, Mounting: Surface Mount, Package Height: 2.82(Max), Package Length: 20.75(Max), Package Width: 11.43(Max), PCB changed: 32, Lead Shape: Gull-wing, Brand: Cypress Semiconductor, Количество бит на слово: 8бит, Количество слов: 512K, Максимальное время произвольного доступа: 45нс, Максимальное рабочее напряжение питания: 5.5 В, Минимальное рабочее напряжение питания: 4.5 В, Низкая мощность: Да, Объем памяти: 4Мбит, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Частота синхронизации: 1МГц, Число контактов: 32, Ширина: 11.43мм, Ширина адресной шины: 8бит, Вес, г: 2.3, Бренд: Cypress Semiconductor

CY62148ELL-55SXI – артик