TISP6NTP2CDR-S Bourns

Vf - прямое напряжение: 3 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 1.55 mm, Длина: 5 mm, Категория продукта: Комплектные тиристорные устройства (SCR), Коммерческое обозначение: TISP, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Максимальный ток удержания Ih: 150 mA, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение включения (VBO): 112 V, Неповторяющийся ток в открытом состоянии: 7 A, Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM): 170 V, Номинальный ток: 5 uA, Отпирающее напряжение управления - Vgt: 2.5 V, Отпирающий ток управления - Igt: 5 mA, Подкатегория: Thyristors, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: TISP6NTP2C, Тип: Quad Forward Conducting P-Gate Thyristors, Тип продукта: SCRs, Ток включения (IBO), макс.: 7 A, Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM: 5 uA, Торговая марка: Bourns, Упаковка / блок: SOIC-8, Ширина: 4 mm, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Количество Схем: 2схем(-а), Максимальное Напряжение Включения: 15В, Пиковое Напряжение Выключенного Состояния Vdrm: -170В, Стиль Корпуса TVS Тиристора: SOIC, Тип Тиристора: Защитное Устройство SLIC, Brand: Bourns, Breakover Current IBO Max: 7 A, Breakover Voltage VBO: - 112 V, Current Rating: 5 uA, Factory Pack Quantity: 2500, Gate Trigger Current - Igt: 5 mA, Gate Trigger Voltage - Vgt: 2.5 V, Height: 1.55 mm, Holding Current Ih Max: - 150 mA, Length: 5 mm, Manufacturer: Bourns, Maximum Operating Temperature: + 85 C, Minimum Operating Temperature: - 40 C, Mounting Style: SMD/SMT, Non Repetitive On-State Current: 7 A, Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA, Package / Case: SOIC-8, Packaging: Cut Tape or Reel, Product Category: SCRs, Product Type: SCRs, Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: - 170 V, Series: TISP6NTP2C, Subcategory: Thyristors, Tradename: TISP, Type: Quad Forward Conducting P-Gate Thyristors, Unit Weight: 0.017870 oz, Vf - Forward Voltage: 3 V, Width: 4 mm, Вес, г: 0.5066, Бренд: Bourns

TISP6NTP2CDR-S – артикул товара бренда Bourns с р