BT137-600E.127 NXP Semiconductors

Максимальный удерживающий ток: 20000мкА, Максимальная рабочая температура: +125 °C, Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии: 500мкА, Повторяющееся пиковое прямое блокирующее напряжение: 600V, Повторяющееся пиковое обратное напряжение: 600V, Длина: 10.3мм, Производитель: WeEn Semiconductors Co., Ltd, Тип корпуса: TO-220AB, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.4, Средний номинальный ток во включенном состоянии: 8A, Число контактов: 3, Размеры: 10.3 x 4.7 x 9.4мм, Пиковое напряжения во включенном состоянии: 1.65V, Максимальное отпирающее напряжение затвора: 1.35V, Максимальный отпирающий ток затвора: 25mA, Номинальный ток перегрузки: 71A, Вид монтажа: Through Hole, Действующее значение тока во включенном состоянии - It RMS: 8 A, Другие названия товара №: 933523000000, Категория продукта: Триаки, Максимальный ток удержания Ih: 20 mA, Напряжение в открытом состоянии: 1.3 V, Неповторяющийся ток в открытом состоянии: 71 A, Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM): 600 V, Отпирающее напряжение управления - Vgt: 0.7 V, Отпирающий ток управления - Igt: 11 mA, Подкатегория: Thyristors, Размер фабричной упаковки: 1000, Тип продукта: Triacs, Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM: 0.1 mA, Торговая марка: WeEn Semiconductors, Упаковка / блок: TO-220AB-3, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Линейка Продукции: BT137 Series, Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt: 1В, Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt: 25мА, Пиковая Мощность Затвора: 5Вт, Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm: 600В, Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц: 71А, Стиль Корпуса Симистора: TO-220AB, Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms): 8А, Current - On State (It (RMS)) (Max): 8A, Gate Trigger Current - Igt: 10mA, Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.5V, Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 600V, Type: Bidirectional, Вес, г: 2.73, Бренд: NXP Semiconductor

BT137-6