BSS159NH6327XTSA2 Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 230 mA, Pd - рассеивание мощности: 360 mW, Qg - заряд затвора: 1.4 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.5 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 2.9 ns, Время спада: 9 ns, Высота: 1.1 mm, Длина: 2.9 mm, Другие названия товара №: BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328, Канальный режим: Depletion, Категория продукта: МОП-транзистор, Квалификация: AEC-Q101, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 100 mS, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: BSS159, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 9 ns, Типичное время задержки при включении: 3.1 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка / блок: PG-SOT-23-3, Ширина: 1.3 mm, Base Product Number: BSS159 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 230mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, ECCN: EAR99, FET Feature: Depletion Mode, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 5V, HTSUS: 8541.21.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: SIPMOSВ® ->, Supplier Device Package: SOT-23-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26ВµA, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°