Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
APT150GN60LDQ4G Microchip
Кат. номер: APT150GN60LDQ4G
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Pd - рассеивание мощности: 536 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 220 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Вес, г: 10, Бренд: Microchip Technology
\APT150GN60LDQ4G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 12 395 ₽ за штуку. Купите APT150GN60LDQ4G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить APT150GN60LDQ4G Microchip в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APT150GN60LDQ4G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Microchip\
\
\
Артикул\
\
APT150GN60LDQ4G\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Pd - рассеивание мощности: 536 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 30 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 220 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Вес, г: 10, Бренд: Microchip Technology
\APT150GN60LDQ4G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 12 395 ₽ за штуку. Купите APT150GN60LDQ4G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить APT150GN60LDQ4G Microchip в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APT150GN60LDQ4G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\