FP35R12W2T4_B11 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Length: 56.7мм, Transistor Configuration: Трехфазный, Brand: Infineon, Maximum Collector Emitter Voltage: 1200 В, Maximum Continuous Collector Current: 54 А, Package Type: EASY2B, Maximum Power Dissipation: 215 W, Mounting Type: Монтаж на печатную плату, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Width: 48мм, Высота: 12мм, Pin Count: 35мм, Dimensions: 56.7 x 48 x 12mm, Switching Speed: 1МГц, Configuration: 3 Phase Bridge, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Channel Type: N, DC Ток Коллектора: 54А, IGBT Configuration: PIM Three Phase Input Rectifier, IGBT Technology: IGBT 4(Trench/Field Stop), IGBT Termination: Press Fit, Линейка Продукции: EconoPIM 2B, Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.85В, Полярность Транзистора: N Канал, Рассеиваемая Мощность: 215Вт, Стиль Корпуса Транзистора: Module, Другие названия товара №: SP000413970, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: EasyPIM PressFIT, Подкатегория: IGBTs, Серия: Trench/Fieldstop IGBT4 - T4, Тип продукта: IGBT Modules, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Конфигурация: 3-фазный мост, Конфигурация транзистора: Трехфазные, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальное рассеяние мощности: 215 Вт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 54 A, Минимальная рабочая температура: -40 C, Скорость переключения: 1МГц, Страна происхождения: CN, Тип канала: N, Тип корпуса: EASY2B, Тип монтажа: Монтаж на печатную плату, Число контактов: 35, Вес, г: 50, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

FP35R12W2T4_B11 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 10 937 ₽ за штуку. Купите FP35R12W2T4_B11 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространя