Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
IRFB7537PBF Infineon
Кат. номер: IRFB7537PBF
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Узнать стоимость и срок поставки
Id - непрерывный ток утечки: 173 A, Pd - рассеивание мощности: 230 W, Qg - заряд затвора: 142 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.75 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.7 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 105 ns, Время спада: 84 ns, Другие названия товара №: IRFB7537PBF SP001570828, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: StrongIRFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 190 S, Максимальная рабочая температура: +175 C, Минимальная рабочая температура: -55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Производитель: Infineon, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 82 ns, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: Infineon/IR, Упаковка / блок: TO-220-3, Упаковка: Tube, Brand: Infineon Technologies, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 1000, Fall Time: 84 ns, Forward Transconductance - Min: 190 S, Id - Continuous Drain Current: 173 A, Manufacturer: Infineon, Maximum Operating Temperature: +175 C, Minimum Operating Temperature: -55 C, Mounting Style: Through Hole, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Part # Aliases: SP001570828, Pd - Power Dissipation: 230 W, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 142 nC, Rds On - Drain-Source Resistance: 2.75 mOhms, Rise Time: 105 ns, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Tradename: StrongIRFET, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Typical Turn-Off Delay Time: 82 ns, Typical Turn-On Delay Time: 15 ns, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.7 V, Вес, г: 2.89, Бренд:
\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Infineon\
\
\
Артикул\
\
IRFB7537PBF\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Id - непрерывный ток утечки: 173 A, Pd - рассеивание мощности: 230 W, Qg - заряд затвора: 142 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.75 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: -20 V, +20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.7 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 105 ns, Время спада: 84 ns, Другие названия товара №: IRFB7537PBF SP001570828, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: StrongIRFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 190 S, Максимальная рабочая температура: +175 C, Минимальная рабочая температура: -55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Производитель: Infineon, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 82 ns, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: Infineon/IR, Упаковка / блок: TO-220-3, Упаковка: Tube, Brand: Infineon Technologies, Configuration: Single, Factory Pack Quantity: 1000, Fall Time: 84 ns, Forward Transconductance - Min: 190 S, Id - Continuous Drain Current: 173 A, Manufacturer: Infineon, Maximum Operating Temperature: +175 C, Minimum Operating Temperature: -55 C, Mounting Style: Through Hole, Number Of Channels: 1 Channel, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Part # Aliases: SP001570828, Pd - Power Dissipation: 230 W, Product Category: MOSFET, Product Type: MOSFET, Qg - Gate Charge: 142 nC, Rds On - Drain-Source Resistance: 2.75 mOhms, Rise Time: 105 ns, Subcategory: MOSFETs, Technology: Si, Tradename: StrongIRFET, Transistor Polarity: N-Channel, Transistor Type: 1 N-Channel, Typical Turn-Off Delay Time: 82 ns, Typical Turn-On Delay Time: 15 ns, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V, Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V, Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.7 V, Вес, г: 2.89, Бренд: