NXH100B120H3Q0PTG ON Semiconductor

Напряжение Коллектор-Эмиттер: 1.2кВ, Стиль Корпуса Транзистора: PIM, Рассеиваемая Мощность: 186Вт, DC Ток Коллектора: 50А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.77В, Максимальная Температура Перехода Tj: 150 C, Линейка Продукции: NXH100B120H3Q0 Series, IGBT Configuration: Dual, IGBT Technology: Trench Field Stop, IGBT Termination: Press Fit, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 66.2мм, Конфигурация транзистора: Двойной, Brand: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Тип корпуса: Q0BOOST, Максимальное рассеяние мощности: 186 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 32.8мм, Height: 11.9мм, Число контактов: 22, Размеры: 66.2 x 32.8 x 11.9мм, Конфигурация: Двойной, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Pd - рассеивание мощности: 186 W, Вид монтажа: Press Fit, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.77 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Carbide Modules, Размер фабричной упаковки: 24, Технология: SiC, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 800 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Q0BOOST, Вес, г: 0.1, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

NXH100B120H3Q0PTG – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 6 303 ₽ за штуку. Купите NXH100B120H3Q0PTG по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить NXH100B120H3Q0PTG ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\