IXFH50N30Q3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 50 A, Pd - рассеивание мощности: 690 W, Qg - заряд затвора: 65 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 80 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 250 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH50N30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 50A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXFH50N30Q3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 752 ₽ за штуку. Купите IXFH50N30Q3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXFH50N30Q3 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно