IRFR014PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 7.7 A, Тип корпуса: DPAK (TO-252), Максимальное рассеяние мощности: 2,5 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 6.22мм, Высота: 2.38мм, Размеры: 6.73 x 6.22 x 2.38мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 10 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 13 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 200 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 11 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 300 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.80, Product Category: Power MOSFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 60, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 4, Maximum Continuous Drain Current (A): 7.7, Maximum Gate Source Leakage Current (nA): 100, Maximum IDSS (uA): 25, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 200@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 11(Max)@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 11(Max), Typical Gate to Drain Charge (nC): 5.8(Max), Typical Gate to Source Charge (nC): 3.1(Max), Typical Reverse Recovery Charge (nC): 200, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 300@25V, Typical Output Capacitance (pF): 160, Maximum Power Dissipation (mW): 2500, Typical Fall Time (ns): 19, Typical Rise Time (ns): 50, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 13, Typical Turn-On Delay Time (ns): 10, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Automotive: No, Pin Count: 3, Supplier Package: DPAK, Standard P