AD648KRZ Analog Devices

Automotive: No, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Manufacturer Type: Low Power Amplifier, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±18, Maximum Input Bias Current (uA): 0.00001±15V, Maximum Input Offset Current (uA): 0.000005±15V, Maximum Input Offset Voltage (mV): 1±15V, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Maximum Power Dissipation (mW): 500, Minimum CMRR (dB): 76, Minimum CMRR Range (dB): 75 to 80, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±4.5, Mounting: Surface Mount, Number of Channels per Chip: 2, Packaging: Tube, Part Status: NRND, PCB changed: 8, Pin Count: 8, Power Supply Type: Dual, PPAP: No, Process Technology: BiFET, Shut Down Support: No, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC N, Supplier Temperature Grade: Commercial, Type: Low Power Amplifier, Typical Dual Supply Voltage (V): ±15, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 1, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 80±15V, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 0.0018±15V, Typical Settling Time (ns): 8000, Typical Slew Rate (V/us): 1.8±15V, Typical Voltage Gain (dB): 120, Maximum Operating Temperature: +70 °C, Длина: 5мм, Typical Slew Rate: 1.8В/мкс, Brand: Analog Devices, Тип источника питания: Два, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: 0 °C, Width: 4мм, Typical Input Voltage Noise Density: 80нВ/?Гц, Rail to Rail: Нет, Height: 1.5мм, Размеры: 5 x 4 x 1.5мм, Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 1МГц, Тип усилителя: JFET, Типичное двойное напряжение питания: ±18V, CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 76 dB, en - Интенсивность шума входного напряжения: 30 nV/sqrt Hz, GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 1 MHz, Ib - Входной ток смещения: 15 pA, In - плотность тока шума на входе: 0.0018 pA/sqrt Hz, Pd - рассеивание мощности: 500 mW (1/2 W), PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию: 80