HUF75639P3 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 56 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 200 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 15 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 20 ns, Серия: UltraFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 25 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 110 нКл при 20 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2000 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Height: 9.4мм, Transistor Material: Кремний, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Series: UltraFET, Maximum Drain Source Voltage: 100 В, Channel Type: N, Id - непрерывный ток утечки: 56 A, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 25 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 60 ns, Время спада: 25 ns, Другие названия товара №: HUF75639P3_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: UltraFET, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.01, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

HUF75639P3 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 400 ₽ за ш