FQP13N06L ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 13,6 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 45 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.1 x 4.7 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 20 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 110 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 4.8 nC @ 5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 270 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 10.1мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Package Type: TO-220AB, Maximum Power Dissipation: 45 Вт, Series: QFET, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Height: 9.4мм, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 4,8 нКл при 5 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 13.6 A, Pd - рассеивание мощности: 45 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 110 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 90 ns, Время спада: 40 ns, Другие названия товара №: FQP13N06L_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 7 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Ти