Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
IXFA20N85XHV Ixys
Кат. номер: IXFA20N85XHV
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Id - непрерывный ток утечки: 20 A, Pd - рассеивание мощности: 540 W, Qg - заряд затвора: 63 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 330 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 850 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 28 ns, Время спада: 20 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 6 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 44 ns, Типичное время задержки при включении: 20 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation
\IXFA20N85XHV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 247 ₽ за штуку. Купите IXFA20N85XHV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXFA20N85XHV Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFA20N85XHV вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Ixys\
\
\
Артикул\
\
IXFA20N85XHV\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Id - непрерывный ток утечки: 20 A, Pd - рассеивание мощности: 540 W, Qg - заряд затвора: 63 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 330 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 850 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 28 ns, Время спада: 20 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 6 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 44 ns, Типичное время задержки при включении: 20 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 2.5, Бренд: Ixys Corporation
\IXFA20N85XHV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 247 ₽ за штуку. Купите IXFA20N85XHV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXFA20N85XHV Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFA20N85XHV вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\