ZVN4310A Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 900 мА, Тип корпуса: E-Line, Максимальное рассеяние мощности: 850 мВт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.41мм, Высота: 4.01мм, Размеры: 4.77 x 2.41 x 4.01мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 4.77мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 8 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 30 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 500 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 350 pF@ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 900 mA, Pd - рассеивание мощности: 850 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 500 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 16 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 600 mS, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 4000, Серия: ZVN4310, Технология: Si, Тип: FET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 8 ns, Торговая марка: Diodes Incorporated, Упаковка: Bulk, Упаковка / блок: TO-92-3, EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.80, Product Category: Small Signal, Process Technology: DMOS, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 100, Maximum Gate Source Voltage