IXTQ26N50P Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 26 A, Pd - рассеивание мощности: 400 W, Qg - заряд затвора: 65 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 230 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 20 ns, Высота: 20.3 mm, Длина: 15.8 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 31 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTQ26N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 58 ns, Типичное время задержки при включении: 20 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-3P-3, Ширина: 4.9 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 26A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: PolarHVв„ў ->, Supplier Device Package: TO-3P, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250ВµA, Вес, г: 5.5, Бренд: Ixys Corporation

IXTQ26N50P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 058 ₽ за штуку. Купите IXTQ26N50P по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. С