IXFP30N25X3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 130 A, Pd - рассеивание мощности: 390 W, Qg - заряд затвора: 80 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 9 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 12 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 80 nC, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: HiPerFET, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 62 ns, Типичное время задержки при включении: 21 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-220, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500ВµA, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXFP30N25X3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 976 ₽ за штуку. Купите IXFP30N25X3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена расп