LM358DR2G ON Semiconductor

Тип усилителя: операционный, Максимальная рабочая температура: +70 °C, Количество каналов на ИС: 2, Длина: 5мм, Типичное одиночное напряжение питания: 5 ? 28 В, Типичное усиление по напряжению: 100 dB, Производитель: ON Semiconductor, Тип источника питания: Двойной, одиночный, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: 0 °C, Ширина: 4мм, Rail to Rail: No, Высота: 1.5мм, Число контактов: 8, Размеры: 5 x 4 x 1.5мм, Типичное двойное напряжение питания: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8542.33.00.01, Type: General Purpose Amplifier, Manufacturer Type: General Purpose Amplifier, Number of Channels per Chip: 2, Process Technology: Bipolar, Maximum Input Offset Voltage (mV): 7@30V, Minimum Single Supply Voltage (V): 3, Typical Single Supply Voltage (V): 12|24|15|5|28|18|9, Maximum Single Supply Voltage (V): 32, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±1.5, Typical Dual Supply Voltage (V): ±12|±3|±5|±15|±9, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±16, Maximum Input Offset Current (uA): 0.05@5V, Typical Input Bias Current (uA): 0.045@5V, Maximum Input Bias Current (uA): 0.25@5V, Maximum Quiescent Current (mA): 1.2@5V@0C to 70C, Typical Output Current (mA): 40@5V, Power Supply Type: Single|Dual, Typical Voltage Gain (dB): 100, Minimum PSRR (dB): 65, Minimum CMRR (dB): 65, Minimum CMRR Range (dB): 65 to 70, Shut Down Support: No, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Packaging: Tape and Reel, Pin Count: 8, Supplier Package: SOIC N, Standard Package Name: SOP, Mounting: Surface Mount, Package Height: 1.5(Max), Package Length: 5(Max), Package Width: 4(Max), PCB changed: 8, Lead Shape: Gull-wing, Amplifier Type: General Purpose, GBP - Gain Bandwidth Product: 1MHz, Iq Per Channel (Typ): 1.5mA, Maximum Operating Temperature: 70В°C, Minimum Operating Temperature: 0В°C, Number Of Circuits: 2, SR - Slew Rate: 0.6 V/us, Supply Voltage - Max: 32V, В±1.5V, Suppl