Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) ON Semiconductor
Кат. номер: HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) (HGT1S10N120BNST|2(упаковкаиз2
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 80 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 298 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 11.33мм, Высота: 4.83мм, Число контактов: 3, Размеры: 10.67 x 11.33 x 4.83мм, Скорость переключения: 1МГц, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Вес, г: 2, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 329 ₽ за штуку. Купите HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
ON Semiconductor\
\
\
Артикул\
\
HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) (HGT1S10N120BNST|2(упаковкаиз2))\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: ON Semiconductor, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 80 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 298 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 11.33мм, Высота: 4.83мм, Число контактов: 3, Размеры: 10.67 x 11.33 x 4.83мм, Скорость переключения: 1МГц, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Вес, г: 2, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 329 ₽ за штуку. Купите HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGT1S10N120BNST|2 (упаковка из 2) вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\