IRFB3207ZGPBF Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 170 A, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Qg - заряд затвора: 120 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.3 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 75 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 15.65 mm, Длина: 10 mm, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.4 mm, Base Product Number: IRFB3207 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 120A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920pF @ 50V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HEXFETВ® ->, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150ВµA, Вес, г: 0.44, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

IRFB3207ZGPBF – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 694 ₽ за штуку. Купите IRFB3207ZGPBF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IRFB3207ZGPBF Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\