Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
FGD3N60UNDF ON Semiconductor
Кат. номер: FGD3N60UNDF
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Pd - рассеивание мощности: 60 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 6 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 3 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FGD3N60UNDF, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 10 uA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, DC Ток Коллектора: 6А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 600В, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2В, Рассеиваемая Мощность: 60Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-252(DPAK), Вес, г: 0.2604, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGD3N60UNDF – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 412 ₽ за штуку. Купите FGD3N60UNDF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGD3N60UNDF ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGD3N60UNDF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
ON Semiconductor\
\
\
Артикул\
\
FGD3N60UNDF\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Pd - рассеивание мощности: 60 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 6 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 3 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FGD3N60UNDF, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 10 uA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, DC Ток Коллектора: 6А, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 600В, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 2В, Рассеиваемая Мощность: 60Вт, Стиль Корпуса Транзистора: TO-252(DPAK), Вес, г: 0.2604, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGD3N60UNDF – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 412 ₽ за штуку. Купите FGD3N60UNDF по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGD3N60UNDF ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGD3N60UNDF вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\