BSS87,115 Nexperia

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 4.6мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 6 нс, Производитель: Nexperia, Типичное время задержки выключения: 49 нс, Максимальный непрерывный ток стока: 400 mA, Тип корпуса: SOT-89, Максимальное рассеяние мощности: 1 Вт, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 2.6мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.8V, Высота: 1.6мм, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.8V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 200 V, Число контактов: 3, Размеры: 4.6 x 2.6 x 1.6мм, Материал транзистора: Кремний, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 100 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 400 mA, Pd - рассеивание мощности: 1 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.6 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: 933943940115, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Nexperia, Упаковка / блок: SOT-89-3, Base Product Number: BSS87 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 400mA (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®, Package / Case: TO-243AA, Power Dissipation (Max): 580mW (T