Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru

NF - коэффициент шумов: 1.3 dB, OIP3 - перехват составляющих третьего порядка: 29.5 dBm, P1dB - точка сжатия: 18 dBm, Pd - рассеивание мощности: 520 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Входные потери на отражение: 9 dB, Категория продукта: РЧ-усилитель, Количество каналов: 1 Channel, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Подкатегория: Wireless RF Integrated Circuits, Рабочая частота: 4.8 GHz to 6 GHz, Рабочее напряжение питания: 3 V to 5 V, Рабочий ток источника питания: 68 mA, Размер фабричной упаковки: 85, Серия: HMC717, Технология: GaAs, Тип: Low Noise Amplifier, Тип продукта: RF Amplifier, Торговая марка: Analog Devices, Упаковка: Cut Tape, Упаковка / блок: QFN-16, Усиление: 14.5 dB, Base Product Number: HMC717 ->, Current - Supply: 68mA, ECCN: EAR99, Frequency: 4.8GHz \~ 6GHz, Gain: 14.5dB, HTSUS: 8542.33.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Noise Figure: 1.1dB, P1dB: 18dBm, Package: Strip, Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, REACH Status: REACH Unaffected, RF Type: LTE, WiMax, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 16-QFN (3x3), Test Frequency: 4.8GHz \~ 6GHz, Voltage - Supply: 3V, Brand: Analog Devices, Factory Pack Quantity: 50, Input Return Loss: 9 dB, Manufacturer: Analog Devices Inc., Maximum Operating Temperature: + 85 C, Minimum Operating Temperature: - 40 C, Moisture Sensitive: Yes, Mounting Style: SMD/SMT, NF - Noise Figure: 1.3 dB, Number Of Channels: 1 Channel, oip3 - Third Order Intercept: 29.5 dBm, Operating Frequency: 4.8 GHz to 6 GHz, Operating Supply Current: 68 mA, Operating Supply Voltage: 3 V to 5 V, p1db - Compression Point: 18 dBm, Packaging: Cut Tape, Pd - Power Dissipation: 520 mW, Product Category: RF Amplifier, Product Type: RF Amplifier, Series: HMC717, Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits, Technology: GaAs, Type: Low Noise Amplifier, Бренд: Analog Devices
\HMC717ALP3E – артикул то
NF - коэффициент шумов: 1.3 dB, OIP3 - перехват составляющих третьего порядка: 29.5 dBm, P1dB - точка сжатия: 18 dBm, Pd - рассеивание мощности: 520 mW, Вид монтажа: SMD/SMT, Входные потери на отражение: 9 dB, Категория продукта: РЧ-усилитель, Количество каналов: 1 Channel, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Подкатегория: Wireless RF Integrated Circuits, Рабочая частота: 4.8 GHz to 6 GHz, Рабочее напряжение питания: 3 V to 5 V, Рабочий ток источника питания: 68 mA, Размер фабричной упаковки: 85, Серия: HMC717, Технология: GaAs, Тип: Low Noise Amplifier, Тип продукта: RF Amplifier, Торговая марка: Analog Devices, Упаковка: Cut Tape, Упаковка / блок: QFN-16, Усиление: 14.5 dB, Base Product Number: HMC717 ->, Current - Supply: 68mA, ECCN: EAR99, Frequency: 4.8GHz \~ 6GHz, Gain: 14.5dB, HTSUS: 8542.33.0001, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Noise Figure: 1.1dB, P1dB: 18dBm, Package: Strip, Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, REACH Status: REACH Unaffected, RF Type: LTE, WiMax, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: 16-QFN (3x3), Test Frequency: 4.8GHz \~ 6GHz, Voltage - Supply: 3V, Brand: Analog Devices, Factory Pack Quantity: 50, Input Return Loss: 9 dB, Manufacturer: Analog Devices Inc., Maximum Operating Temperature: + 85 C, Minimum Operating Temperature: - 40 C, Moisture Sensitive: Yes, Mounting Style: SMD/SMT, NF - Noise Figure: 1.3 dB, Number Of Channels: 1 Channel, oip3 - Third Order Intercept: 29.5 dBm, Operating Frequency: 4.8 GHz to 6 GHz, Operating Supply Current: 68 mA, Operating Supply Voltage: 3 V to 5 V, p1db - Compression Point: 18 dBm, Packaging: Cut Tape, Pd - Power Dissipation: 520 mW, Product Category: RF Amplifier, Product Type: RF Amplifier, Series: HMC717, Subcategory: Wireless & RF Integrated Circuits, Technology: GaAs, Type: Low Noise Amplifier, Бренд: Analog Devices
\HMC717ALP3E – артикул то
© 2025 ООО «Компказань», все права защищены
Политика в отношении обработки персональных данных и данных cookie