IXFH18N100Q3 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 18 A, Pd - рассеивание мощности: 830 W, Qg - заряд затвора: 90 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 660 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 33 ns, Время спада: 13 ns, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 16 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXFH18N100, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 40 ns, Типичное время задержки при включении: 37 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 18A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXFH18N100Q3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 058 ₽ за штуку. Купите IXFH18N100Q3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXFH18N100Q3 I