1100826
24LC08B-I/SNThe 24LC08B-I/SN is a 8kB I?C™ serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) organized as four blocks of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low voltage design permits operation down to 1.8V, with standby and active currents of only 1µA and 1mA, respectively. The 24XX08 also has a page write capability for up to 16 bytes of data., Single supply with operation down to 1.8V, Low-power CMOS technology, 2-wire serial interface (I?C™ compatible), Schmitt trigger inputs for noise suppression, Output slope control to eliminate ground bounce, 100 and 400kHz Clock compatibility, Self-timed write cycle, Page write buffer for up to 16 bytes, 2ms Typical write cycle time for page write, Hardware write-protect for entire memory, Can be operated as a serial ROM, ESD protection >4000V, 1000000 Erase/write cycles, Data retention >200 yearsМикросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM память Корпус: 8-SOIC N, инфо: EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOIC
\1100826 – артикул товара с розничной ценой 49 ₽ за штуку. Купите 1100826 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить 1100826 в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги и уточнить персональную цену на 1100826 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\24LC08B-I/SNThe 24LC08B-I/SN is a 8kB I?C™ serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) organized as four blocks of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low voltage design permits operation down to 1.8V, with standby and active currents of only 1µA and 1mA, respectively. The 24XX08 also has a page write capability for up to 16 bytes of data., Single supply with operation down to 1.8V, Low-power CMOS technology, 2-wire serial interface (I?C™ compatible), Schmitt trigger inputs for noise suppression, Output slope control to eliminate ground bounce, 100 and 400kHz Clock compatibility, Self-timed write cycle, Page write buffer for up to 16 bytes, 2ms Typical write cycle time for page write, Hardware write-protect for entire memory, Can be operated as a serial ROM, ESD protection >4000V, 1000000 Erase/write cycles, Data retention >200 yearsМикросхемы / Микросхемы памяти / EEPROM память Корпус: 8-SOIC N, инфо: EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOIC
\1100826 – артикул товара с розничной ценой 49 ₽ за штуку. Купите 1100826 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить 1100826 в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги и уточнить персональную цену на 1100826 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\