IRFPE40PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 5.4 A, Тип корпуса: TO-247AC, Максимальное рассеяние мощности: 150 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.31мм, Высота: 20.7мм, Размеры: 15.87 x 5.31 x 20.7мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 15.87мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 16 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 100 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 2 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 130 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1900 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 5.4 A, Pd - рассеивание мощности: 150 W, Qg - заряд затвора: 130 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 500, Серия: IRFPE, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Base Product Number: IRFPE40 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 5.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package /