IRF9Z34PBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 18 А, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 88 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 18 нс, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 20 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 140 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 34 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1100 pF@ 25 V, Тип канала: P, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Length: 10.41mm, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Vishay, Width: 4.7мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 2V, Typical Gate Charge @ Vgs: 34 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Type: P, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 18 A, Pd - рассеивание мощности: 88 W, Qg - заряд затвора: 34 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 140 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 120 ns, Время спада: 58 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.9 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IRF9Z, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки при включении: 18 ns, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220AB-3, Transistor Mounting: Through Hole, Количес