FQAF16N50 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 11,3 A, Тип корпуса: TO-3PF, Максимальное рассеяние мощности: 110 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.7мм, Высота: 16.7мм, Размеры: 15.7 x 5.7 x 16.7мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 15.7мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 45 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 130 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 320 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 60 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 2300 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Number of Elements per Chip: 1, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 11.3 A, Package Type: TO-3PF, Maximum Power Dissipation: 110 Вт, Series: QFET, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Width: 5.7мм, Height: 16.7mm, Maximum Drain Source Resistance: 320 м?, Maximum Drain Source Voltage: 500 В, Pin Count: 3, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 11.3 A, Pd - рассеивание мощности: 110 W, Qg - заряд затвора: 75 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 320 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 180 ns, Время спада: 100 ns, Другие названия товара №: FQAF16N50_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 11 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 360, Технол