IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 6.73мм, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 4 A, Package Type: IPAK (TO-251), Maximum Power Dissipation: 32 Вт, Серия: CoolMOS P7, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 2.41мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 3.5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2.5V, Высота: 7.59мм, Maximum Drain Source Resistance: 1.4 ?, Maximum Drain Source Voltage: 800 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Forward Diode Voltage: 0.9V, Id - непрерывный ток утечки: 4 A, Pd - рассеивание мощности: 32 W, Qg - заряд затвора: 10 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.4 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 8 ns, Время спада: 20 ns, Длина: 6.73 mm, Другие названия товара №: IPU80R1K4P7 SP001422742, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: CoolMOS, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 50 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1500, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 40 ns, Типичное время задержки при включении: 10 ns, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-251-3, Ширина: 2.38 mm, Base Product Number: IPU80R1 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Feature: Super Junction, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25