TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, 50Вт, TO220FP Toshiba

Id - непрерывный ток утечки: 13 A, Pd - рассеивание мощности: 50 W, Qg - заряд затвора: 40 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 430 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 50 ns, Время спада: 25 ns, Высота: 15 mm, Длина: 10 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: MOSVII, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: TK13A60D, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 140 ns, Типичное время задержки при включении: 100 ns, Торговая марка: Toshiba, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.5 mm, Вес, г: 1.65, Бренд: Toshiba

TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, – артикул товара бренда Toshiba с розничной ценой 941 ₽ за штуку. Купите TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Toshiba для наших постоянных клиентов.\

\ Купить TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, Toshiba в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Toshiba и уточнить персональную цену на TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\