IXBT12N300HV Ixys

Pd - рассеивание мощности: 160 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: BIMOSFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 3 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.8 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 30 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 30 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: Very High Voltage, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-2, Чувствительный к влажности: Yes, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Current - Collector Pulsed (Icm): 100A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 62nC, HTSUS: 8541.29.0095, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Power - Max: 160W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 1.4Вµs, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: BIMOSFETв„ў ->, Supplier Device Package: TO-268, Td (on/off) @ 25В°C: 64ns/180ns, Test Condition: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000V, Вес, г: 2, Бренд: Ixys Corporation

IXBT12N300HV – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 927 ₽ за штуку. Купите IXBT12N300HV по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXBT12N300HV Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем