AD648JNZ Analog Devices

EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: NRND, HTS: 8542.39.00.01, Type: Low Power Amplifier, Manufacturer Type: Low Power Amplifier, Number of Channels per Chip: 2, Process Technology: BiFET, Maximum Input Offset Voltage (mV): 2@±15V, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±4.5, Typical Dual Supply Voltage (V): ±15, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±18, Maximum Input Offset Current (uA): 0.00001@±15V, Maximum Input Bias Current (uA): 0.00002@±15V, Power Supply Type: Dual, Maximum Power Dissipation (mW): 500, Typical Slew Rate (V/us): 1.8@±15V, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 80@±15V, Typical Voltage Gain (dB): 120, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 0.0018@±15V, Minimum CMRR (dB): 70, Minimum CMRR Range (dB): 70 to 71, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 1, Typical Settling Time (ns): 8000, Shut Down Support: No, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Supplier Temperature Grade: Commercial, Packaging: Tube, Pin Count: 8, Supplier Package: PDIP N, Standard Package Name: DIP, Mounting: Through Hole, Package Height: 3.3, Package Length: 9.27, Package Width: 6.35, PCB changed: 8, Lead Shape: Through Hole, Максимальная рабочая температура: +70 °C, Количество каналов на ИС: 2, Длина: 9.27мм, Типичная скорость нарастания: 1.8В/мкс, Типичное усиление по напряжению: 120 дБ, Производитель: Analog Devices, Тип источника питания: Два, Тип корпуса: PDIP, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: 0 °C, Ширина: 7.24мм, Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 80нВ/?Гц, Rail to Rail: No, Высота: 3.43мм, Число контактов: 8, Размеры: 9.27 x 7.24 x 3.43мм, Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 1МГц, Типичное двойное напряжение питания: ±15V, CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 76 dB, en - Интенсивность шума входного напряжения: 30 nV/sqrt Hz, GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT